غیر لکیری کرسٹل

افقی اور عمودی سمیت بڑھنے کے طریقے، یہ مواد (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) دیئے گئے معیاری سائز اور واقفیت کے ساتھ دستیاب ہیں۔جن میں سے کچھ، بڑے نان لائنر گتانک اور منفرد طول و عرض کی خصوصیات کے ساتھ جو ہم نے فراہم کیے ہیں وہ ریگولر SHG، THG اور Mid-infrared OPO، OPA سسٹمز وغیرہ میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں۔

گیس کرسٹل

Gallium Selenide (GaSe) نان لکیری آپٹیکل سنگل کرسٹل، ایک بڑے نان لکیری گتانک، ایک اعلی نقصان کی حد اور ایک وسیع شفافیت کی حد کو ملاتا ہے۔یہ وسط IR میں SHG کے لیے بہت موزوں مواد ہے۔
ZGP(ZnGeP2) کرسٹلز

ZGP کرسٹل جن میں بڑے نان لائنر گتانک (d36=75pm/V)، وسیع انفراریڈ ٹرانسپیرنسی رینج (0.75-12μm)، ہائی تھرمل چالکتا (0.35W/(cm·K))، ہائی لیزر ڈیم تھریشولڈ (2-5J/cm2) اور اچھی طرح سے مشینی پراپرٹی، ZnGeP2 کرسٹل کو انفراریڈ نان لائنر آپٹیکل کرسٹل کا بادشاہ کہا جاتا تھا اور یہ اب بھی ہائی پاور، ٹیون ایبل انفراریڈ لیزر جنریشن کے لیے بہترین فریکوئنسی کنورژن مواد ہے۔ہم انتہائی کم جذب گتانک α <0.05 cm-1 (پمپ طول موج 2.0-2.1 µm پر) کے ساتھ اعلیٰ نظری معیار اور بڑے قطر کے ZGP کرسٹل پیش کر سکتے ہیں، جو OPO یا OPA کے ذریعے اعلی کارکردگی کے ساتھ درمیانی انفراریڈ ٹیون ایبل لیزر بنانے کے لیے استعمال کیے جا سکتے ہیں۔ عمل
AGSe(AgGaSe2) کرسٹل

AGSeAgGaSe2 کرسٹل میں 0.73 اور 18 µm پر بینڈ کے کنارے ہوتے ہیں۔اس کی کارآمد ٹرانسمیشن رینج (0.9–16 µm) اور وسیع فیز مماثلت کی صلاحیت OPO ایپلی کیشنز کے لیے بہترین صلاحیت فراہم کرتی ہے جب مختلف لیزرز کے ذریعے پمپ کیا جاتا ہے۔Ho:YLF لیزر 2.05 µm پر پمپ کرتے وقت 2.5–12 µm کے اندر ٹیوننگ حاصل کی گئی ہے۔نیز نان کریٹیکل فیز میچنگ (NCPM) آپریشن 1.9–5.5 µm کے اندر جب 1.4–1.55 µm پر پمپ کیا جائے۔AgGaSe2 (AgGaSe2) کو انفراریڈ CO2 لیزرز تابکاری کے لیے ایک موثر فریکوئنسی دوگنا کرسٹل ہونے کا مظاہرہ کیا گیا ہے۔
AGS(AgGaS2) کرسٹل

AGS 0.50 سے 13.2 µm تک شفاف ہے۔اگرچہ اس کا نان لائنر آپٹیکل گتانک ذکر کردہ انفراریڈ کرسٹل میں سب سے کم ہے، لیکن Nd:YAG لیزر کے ذریعے پمپ کیے گئے OPOs میں 550 nm پر اعلی مختصر طول موج کی شفافیت کا کنارہ استعمال کیا جاتا ہے۔ڈائیوڈ، Ti:Sapphire، Nd:YAG اور IR ڈائی لیزرز کے ساتھ متعدد فرق فریکوئنسی مکسنگ تجربات میں 3–12 µm رینج پر محیط ہے۔براہ راست انفراریڈ انسداد پیمائش کے نظام میں، اور CO2 لیزر کے SHG کے لیے۔پتلی AgGaS2 (AGS) کرسٹل پلیٹیں NIR طول موج کی دالیں استعمال کرنے والے فرق فریکوئنسی جنریشن کے ذریعے وسط IR رینج میں الٹرا شارٹ پلس جنریشن کے لیے مشہور ہیں۔
BGSe(BaGa4Se7) کرسٹل

BGSe (BaGa4Se7) کے اعلیٰ معیار کے کرسٹل chalcogenide مرکب BaGa4S7 کا سیلینائڈ اینالاگ ہے، جس کے سنٹرک آرتھرومبک ڈھانچے کی شناخت 1983 میں ہوئی تھی اور IR NLO اثر 2009 میں رپورٹ کیا گیا تھا، ایک نیا تیار کردہ IR NLO کرسٹل ہے۔یہ Bridgman-Stockbarger تکنیک کے ذریعے حاصل کیا گیا تھا۔یہ کرسٹل 0.47–18 μm کی وسیع رینج پر اعلی ترسیل کی نمائش کرتا ہے، سوائے تقریباً 15 μm پر جذب کی چوٹی کے۔
BGGSe(BaGa2GeSe6) کرسٹل

BaGa2GeSe6 کرسٹل میں آپٹیکل ڈیمیج تھریشولڈ (110 MW/cm2)، ایک وسیع اسپیکٹرل ٹرانسپیرنسی رینج (0.5 سے 18 μm تک) اور ایک اعلی نان لائنیرٹی (d11 = 66 ± 15 pm/V) ہے، جو اس کرسٹل کو بہت پرکشش بناتا ہے۔ لیزر تابکاری کی فریکوئنسی کی تبدیلی (یا اس کے اندر) وسط IR رینج میں۔