LGS کرسٹل

La3Ga5SiO14 کرسٹل (LGS کرسٹل) ایک آپٹیکل نان لائنر مواد ہے جس میں ہائی ڈیم تھریشولڈ، ہائی الیکٹرو آپٹیکل گتانک اور بہترین الیکٹرو آپٹیکل کارکردگی ہے۔LGS کرسٹل کا تعلق مثلثی نظام کے ڈھانچے سے ہے، چھوٹے تھرمل ایکسپینشن گتانک، کرسٹل کی تھرمل ایکسپینشن انیسوٹروپی کمزور ہے، اعلی درجہ حرارت کے استحکام کا درجہ حرارت اچھا ہے (SiO2 سے بہتر)، دو آزاد الیکٹرو - آپٹیکل گتانک اتنے ہی اچھے ہیں جتنے BBO کے۔ کرسٹلالیکٹرو آپٹک گتانک درجہ حرارت کی ایک وسیع رینج میں مستحکم ہیں۔کرسٹل میں اچھی مکینیکل خصوصیات ہیں، کوئی درار نہیں، کوئی ڈیلیکیسنس نہیں، فزیکو کیمیکل استحکام ہے اور اس کی بہت اچھی جامع کارکردگی ہے۔LGS کرسٹل میں وسیع ٹرانسمیشن بینڈ ہے، 242nm-3550nm سے ٹرانسمیشن کی شرح زیادہ ہے۔اسے EO ماڈیولیشن اور EO Q-Switches کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔

LGS کرسٹل میں ایپلی کیشنز کی ایک وسیع رینج ہے: پیزو الیکٹرک ایفیکٹ، آپٹیکل روٹیشن ایفیکٹ کے علاوہ، اس کے الیکٹرو آپٹیکل ایفیکٹ کی کارکردگی بھی بہت بہتر ہے، LGS Pockels Cells میں ریپیٹیشن فریکوئنسی، بڑے حصے کے یپرچر، تنگ نبض کی چوڑائی، ہائی پاور، الٹرا -کم درجہ حرارت اور دیگر حالات LGS کرسٹل EO Q-switch کے لیے موزوں ہیں۔ہم نے LGS Pockels سیل بنانے کے لیے γ 11 کے EO کوفیشینٹ کا اطلاق کیا، اور LGS الیکٹرو آپٹیکل سیلز کے نصف ویو وولٹیج کو کم کرنے کے لیے اس کے بڑے پہلو تناسب کو منتخب کیا، جو کہ تمام ٹھوس ریاست کی الیکٹرو آپٹیکل ٹیوننگ کے لیے موزوں ہو سکتا ہے۔ اعلی طاقت کی تکرار کی شرح کے ساتھ لیزر.مثال کے طور پر، اس کا اطلاق LD Nd: YVO4 سالڈ اسٹیٹ لیزر پر کیا جا سکتا ہے جس میں 100W سے زیادہ اوسط طاقت اور توانائی کے ساتھ پمپ کیا جاتا ہے، 200KHZ تک سب سے زیادہ شرح، 715w تک سب سے زیادہ پیداوار، نبض کی چوڑائی 46ns تک، مسلسل تقریباً 10w تک آؤٹ پٹ، اور آپٹیکل نقصان کی حد LiNbO3 کرسٹل سے 9-10 گنا زیادہ ہے۔1/2 لہر وولٹیج اور 1/4 لہر وولٹیج اسی قطر کے BBO Pockels سیلز سے کم ہیں، اور مواد اور اسمبلی کی لاگت اسی قطر کے RTP Pockels Cells سے کم ہے۔DKDP Pockels Cells کے مقابلے میں، وہ غیر حل شدہ ہیں اور درجہ حرارت میں اچھی استحکام رکھتے ہیں۔LGS الیکٹرو آپٹیکل سیل سخت ماحول میں استعمال کیے جا سکتے ہیں اور مختلف ایپلی کیشنز میں اچھی کارکردگی کا مظاہرہ کر سکتے ہیں۔